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2SC2655-Y(6MBH1,AF

2SC2655-Y(6MBH1,AF

僅供參考

型號 2SC2655-Y(6MBH1,AF
PNEDA編號 2SC2655-Y-6MBH1-AF
描述 TRANS NPN 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2655-Y(6MBH1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2655-Y(6MBH1,AF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC2655-Y(6MBH1, 2SC2655-Y(6MBH1數據表 (總頁數: 5, 大小: 167.4 KB)
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2SC2655-Y(6MBH1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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50mA

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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