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2SC2859-O(TE85L,F)

2SC2859-O(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SC2859-O(TE85L,F)
PNEDA編號 2SC2859-O-TE85L-F
描述 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2859-O(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2859-O(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SC2859-O(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 100mA, 1V
功率-最大150mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝S-Mini

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

9 @ 750mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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