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2SC3585-T1B-A

2SC3585-T1B-A

僅供參考

型號 2SC3585-T1B-A
PNEDA編號 2SC3585-T1B-A
描述 RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC3585-T1B-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC3585-T1B-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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2SC3585-T1B-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡10GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.8dB @ 2GHz
增益9dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

功率-最大

140mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-3

供應商設備包裝

M13

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

17dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 110mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD (200 mil BeO)

供應商設備包裝

-

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

55GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 12GHz

增益

13dB

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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