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2SC3665-Y,T2NSF(J

2SC3665-Y,T2NSF(J

僅供參考

型號 2SC3665-Y,T2NSF(J
PNEDA編號 2SC3665-Y-T2NSF-J
描述 TRANS NPN 800MA 120V SC71
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC3665-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC3665-Y,T2NSF(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC3665-Y, 2SC3665-Y數據表 (總頁數: 4, 大小: 134.49 KB)
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2SC3665-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-71
供應商設備包裝MSTM

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 750mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

2.8W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 4A, 2V

功率-最大

120W

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當前-集電極截止(最大值)

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