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2SC4604,T6F(M

2SC4604,T6F(M

僅供參考

型號 2SC4604,T6F(M
PNEDA編號 2SC4604-T6F-M
描述 TRANS NPN 3A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC4604資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC4604,T6F(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC4604, 2SC4604數據表 (總頁數: 4, 大小: 145.15 KB)
PDF2SC4604數據表 封面
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2SC4604規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

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Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1400 @ 1mA, 5V

功率-最大

30mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 1A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

-

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