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2SC5088-O(TE85L,F)

2SC5088-O(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SC5088-O(TE85L,F)
PNEDA編號 2SC5088-O-TE85L-F
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5088-O(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5088-O(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC5088-O(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB @ 500MHz
增益18dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝USQ

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

SOT-343F

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

18GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

9.5dB ~ 11.5dB

功率-最大

130mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.3dB

功率-最大

875W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

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