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2SC5501A-4-TR-E

2SC5501A-4-TR-E

僅供參考

型號 2SC5501A-4-TR-E
PNEDA編號 2SC5501A-4-TR-E
描述 RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5501A-4-TR-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5501A-4-TR-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC5501A-4-TR-E, 2SC5501A-4-TR-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 363.41 KB)
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2SC5501A-4-TR-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB @ 1GHz
增益13dB
功率-最大500mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 20mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝4-MCP

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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CEL

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

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50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

增益

24dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 5mA, 10V

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