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2SC6082-1E

2SC6082-1E

僅供參考

型號 2SC6082-1E
PNEDA編號 2SC6082-1E
描述 TRANS NPN 50V 15A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC6082-1E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC6082-1E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC6082-1E, 2SC6082-1E數據表 (總頁數: 7, 大小: 236.29 KB)
PDF2SC6082數據表 封面
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2SC6082-1E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 375mA, 7.5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 330mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡195MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F-3SG

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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