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2SD1805G-TL-E

2SD1805G-TL-E

僅供參考

型號 2SD1805G-TL-E
PNEDA編號 2SD1805G-TL-E
描述 TRANS NPN 20V 5A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1805G-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1805G-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1805G-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 60mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce280 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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500mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 100mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 3A, 7A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

4MHz

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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