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2SD1857TV2R

2SD1857TV2R

僅供參考

型號 2SD1857TV2R
PNEDA編號 2SD1857TV2R
描述 TRANS NPN 120V 2A ATV
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1857TV2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1857TV2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1857TV2R, 2SD1857TV2R數據表 (總頁數: 3, 大小: 158.92 KB)
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2SD1857TV2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝ATV

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

750V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2.75A, 11A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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