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2SD1913S

2SD1913S

僅供參考

型號 2SD1913S
PNEDA編號 2SD1913S
描述 TRANS NPN 60V 3A TO-220ML
制造商 SANYO Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1913S資源

品牌 SANYO Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1913S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1913S, 2SD1913S數據表 (總頁數: 4, 大小: 34.38 KB)
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2SD1913S規格

制造商SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 500mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220ML

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110V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 5mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 5A, 4V

功率-最大

60W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

3W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 275mA, 5.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

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