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2SD2701TL

2SD2701TL

僅供參考

型號 2SD2701TL
PNEDA編號 2SD2701TL
描述 TRANS NPN 12V 2A TUMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 27,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2701TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2701TL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SD2701TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

380mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

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700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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