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2SD2707T2LV

2SD2707T2LV

僅供參考

型號 2SD2707T2LV
PNEDA編號 2SD2707T2LV
描述 TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2707T2LV資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2707T2LV
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2707T2LV規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)300nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce820 @ 1mA, 5V
功率-最大150mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VMT3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

550V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

9 @ 2A, 5V

功率-最大

100W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25000 @ 200mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 10A, 3V

功率-最大

160W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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