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2SJ438,MDKQ(J

2SJ438,MDKQ(J

僅供參考

型號 2SJ438,MDKQ(J
PNEDA編號 2SJ438-MDKQ-J
描述 MOSFET P-CH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SJ438資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SJ438,MDKQ(J
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SJ438, 2SJ438數據表 (總頁數: 6, 大小: 410.33 KB)
PDF2SJ438數據表 封面
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  • 2SJ438,MDKQ(J Distributor

2SJ438規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220NIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4120pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.5W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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