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2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

僅供參考

型號 2SJ600-Z-E1-AZ
PNEDA編號 2SJ600-Z-E1-AZ
描述 TRANSISTOR
制造商 Renesas Electronics America
單價
1 ---------- $0.3450
500 ---------- $0.3288
1,000 ---------- $0.3126
2,500 ---------- $0.2965
5,000 ---------- $0.2830
10,000 ---------- $0.2695
庫存 12,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SJ600-Z-E1-AZ資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SJ600-Z-E1-AZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SJ600-Z-E1-AZ規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TA)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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