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2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

僅供參考

型號 2SJ648-T1-A
PNEDA編號 2SJ648-T1-A
描述 TRANSISTOR
制造商 Renesas Electronics America
單價
1 ---------- $12.6691
100 ---------- $12.0752
250 ---------- $11.4813
500 ---------- $10.8875
750 ---------- $10.3926
1,000 ---------- $9.8977
庫存 2,783
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SJ648-T1-A資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SJ648-T1-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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  • 2SJ648-T1-A Distributor

2SJ648-T1-A規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

615pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 16.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 155W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 800µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

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