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2SK1070PICTL-E

2SK1070PICTL-E

僅供參考

型號 2SK1070PICTL-E
PNEDA編號 2SK1070PICTL-E
描述 JFET N-CH MPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價
1 ---------- $2.5710
250 ---------- $2.4505
500 ---------- $2.3300
1,000 ---------- $2.2095
2,500 ---------- $2.1090
5,000 ---------- $2.0086
庫存 2,033
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK1070PICTL-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK1070PICTL-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK1070PICTL-E, 2SK1070PICTL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 141.91 KB)
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  • 2SK1070PICTL-E Distributor

2SK1070PICTL-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)22V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)12mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID0V @ 10µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大150mW
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-MPAK

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-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

625mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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