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2SK1070PIETR-E

2SK1070PIETR-E

僅供參考

型號 2SK1070PIETR-E
PNEDA編號 2SK1070PIETR-E
描述 JFET N-CH MPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK1070PIETR-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK1070PIETR-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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2SK1070PIETR-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)22V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)12mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID0V @ 10µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大150mW
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-MPAK

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

0.7pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

30mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

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N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

12mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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