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2SK2883(TE24L,Q)

2SK2883(TE24L,Q)

僅供參考

型號 2SK2883(TE24L,Q)
PNEDA編號 2SK2883-TE24L-Q
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK2883(TE24L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK2883(TE24L,Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK2883(TE24L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)75W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-220SM
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 3.13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1255pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

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安裝類型

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97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

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