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2SK3127(TE24L,Q)

2SK3127(TE24L,Q)

僅供參考

型號 2SK3127(TE24L,Q)
PNEDA編號 2SK3127-TE24L-Q
描述 MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3127(TE24L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3127(TE24L,Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK3127(TE24L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2300pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)65W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-220SM
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

549pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

428nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13970pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 15V

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功耗(最大值)

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