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2SK3435-Z-E1-AZ

2SK3435-Z-E1-AZ

僅供參考

型號 2SK3435-Z-E1-AZ
PNEDA編號 2SK3435-Z-E1-AZ
描述 TRANSISTOR
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3435-Z-E1-AZ資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3435-Z-E1-AZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK3435-Z-E1-AZ規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

232nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

Temperature Sensing Diode

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

28W (Tc)

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