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2SK3820-DL-1E

2SK3820-DL-1E

僅供參考

型號 2SK3820-DL-1E
PNEDA編號 2SK3820-DL-1E
描述 MOSFET N-CH 100V 26A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3820-DL-1E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3820-DL-1E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK3820-DL-1E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2150pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.65W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 6.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

36.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2245pF @ 50V

FET功能

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

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300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9990pF @ 25V

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290W (Tc)

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