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2SK3821-E

2SK3821-E

僅供參考

型號 2SK3821-E
PNEDA編號 2SK3821-E
描述 MOSFET N-CH 100V 40A SMP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3821-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3821-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SK3821-E, 2SK3821-E數據表 (總頁數: 4, 大小: 98.22 KB)
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2SK3821-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs73nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.65W (Ta), 65W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝SMP
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

SFT1341-C-TL-W

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

624W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

401pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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