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2SK4093TZ-E

2SK4093TZ-E

僅供參考

型號 2SK4093TZ-E
PNEDA編號 2SK4093TZ-E
描述 MOSFET N-CH 250V 1A TO-92
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK4093TZ-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK4093TZ-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SK4093TZ-E, 2SK4093TZ-E數據表 (總頁數: 9, 大小: 119.74 KB)
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2SK4093TZ-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.6Ohm @ 500mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 4V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)900mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92MOD
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.2A (Ta), 73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1563pF @ 12V

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-

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1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

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