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2SK4126

2SK4126

僅供參考

型號 2SK4126
PNEDA編號 2SK4126
描述 MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK4126資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK4126
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK4126規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs720mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45.4nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 170W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PB
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.25Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10180pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

675pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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