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2SK596S-C

2SK596S-C

僅供參考

型號 2SK596S-C
PNEDA編號 2SK596S-C
描述 JFET N-CH 0.1W
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.6972
500 ---------- $0.6645
1,000 ---------- $0.6319
2,500 ---------- $0.5992
5,000 ---------- $0.5719
10,000 ---------- $0.5447
庫存 159
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK596S-C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK596S-C
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK596S-C, 2SK596S-C數據表 (總頁數: 5, 大小: 995.97 KB)
PDF2SK596S-C數據表 封面
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2SK596S-C規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)210µA @ 5V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4.1pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-72
供應商設備包裝3-SPA

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*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 4nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

40 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 135°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

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