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2SK715U

2SK715U

僅供參考

型號 2SK715U
PNEDA編號 2SK715U
描述 JFET N-CH 50MA 300MW SPA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK715U資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK715U
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK715U, 2SK715U數據表 (總頁數: 5, 大小: 777.4 KB)
PDF2SK715W-AC數據表 封面
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2SK715U規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)15V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7.3mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-72
供應商設備包裝3-SPA

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

20V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

300µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

8V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

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500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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310mW

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