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3EZ190D10E3/TR12

3EZ190D10E3/TR12

僅供參考

型號 3EZ190D10E3/TR12
PNEDA編號 3EZ190D10E3-TR12
描述 DIODE ZENER 190V 3W DO204AL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

3EZ190D10E3/TR12資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號3EZ190D10E3/TR12
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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3EZ190D10E3/TR12規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)190V
公差±10%
功率-最大3W
阻抗(最大值)(閽zt)800 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 144.8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

230 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 52V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

58 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 25V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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900 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

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