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3LP01C-TB-E

3LP01C-TB-E

僅供參考

型號 3LP01C-TB-E
PNEDA編號 3LP01C-TB-E
描述 MOSFET P-CH 30V 100MA CP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

3LP01C-TB-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號3LP01C-TB-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
3LP01C-TB-E, 3LP01C-TB-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 253.58 KB)
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3LP01C-TB-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.4Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.43nC @ 10V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.5pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)250mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-CP
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1938pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

312W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

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