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42107HS

42107HS

僅供參考

型號 42107HS
PNEDA編號 42107HS
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

42107HS資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號42107HS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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42107HS規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

6.5dB ~ 11dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

21dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

10dB ~ 29dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

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