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46007T

46007T

僅供參考

型號 46007T
PNEDA編號 46007T
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

46007T資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號46007T
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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  • 46007T Distributor

46007T規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.5dB

功率-最大

97W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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制造商

Infineon Technologies

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-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.25V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz

增益

13.5dB ~ 25dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 15mA, 1.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55mA

工作溫度

150°C (TJ)

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

12.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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