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4N35TM

4N35TM

僅供參考

型號 4N35TM
PNEDA編號 4N35TM
描述 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N35TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N35TM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N35TM, 4N35TM數據表 (總頁數: 15, 大小: 210.41 KB)
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4N35TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離7500Vpk
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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25µs, 18µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

55V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

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輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

150% @ 1mA

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300% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

40µs, 120µs

上升/下降時間(典型值)

5µs, 10µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

160% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Gull Wing

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