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5962-8687505XA

5962-8687505XA

僅供參考

型號 5962-8687505XA
PNEDA編號 5962-8687505XA
描述 IC SRAM 8K PARALLEL
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

5962-8687505XA資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號5962-8687505XA
類別半導體內存IC內存

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5962-8687505XA規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8K (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱48-DIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝48-SIDE BRAZED

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內存大小

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內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

CY7C025-15AXI

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 16)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

2.8V ~ 5.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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