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6116SA150DB

6116SA150DB

僅供參考

型號 6116SA150DB
PNEDA編號 6116SA150DB
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6116SA150DB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6116SA150DB
類別半導體內存IC內存

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6116SA150DB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁150ns
訪問時間150ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-CDIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝24-CDIP

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Adesto Technologies

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

64Mb (1K Bytes x 8192 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN

供應商設備包裝

8-CASON (6x8)

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Adesto Technologies

制造商

Adesto Technologies

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

7µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

SST39VF3201-70-4C-B3KE

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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