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6116SA45TDB

6116SA45TDB

僅供參考

型號 6116SA45TDB
PNEDA編號 6116SA45TDB
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6116SA45TDB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6116SA45TDB
類別半導體內存IC內存

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6116SA45TDB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-CDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝24-CDIP

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EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

8ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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8-TSSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供應商設備包裝

SOT-23-5

70V05L55J8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

24LC01BT-E/MNY

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

3500ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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