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66068B

66068B

僅供參考

型號 66068B
PNEDA編號 66068B
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

66068B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號66068B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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66068B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

13dB ~ 7.5dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

38 @ 7mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

20dB

功率-最大

1.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

550MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

增益

23dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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