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6A05GHB0G

6A05GHB0G

僅供參考

型號 6A05GHB0G
PNEDA編號 6A05GHB0G
描述 DIODE GEN PURP 50V 6A R-6
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6A05GHB0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6A05GHB0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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6A05GHB0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱R6, Axial
供應商設備包裝R-6
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

-

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