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6A80G R0G

6A80G R0G

僅供參考

型號 6A80G R0G
PNEDA編號 6A80G-R0G
描述 DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6A80G R0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6A80G R0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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6A80G R0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱R6, Axial
供應商設備包裝R-6
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

850µA @ 60V

電容@ Vr,F

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