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6A80GHA0G

6A80GHA0G

僅供參考

型號 6A80GHA0G
PNEDA編號 6A80GHA0G
描述 DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6A80GHA0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6A80GHA0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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6A80GHA0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱R6, Axial
供應商設備包裝R-6
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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300V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 400V

電容@ Vr,F

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