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6N139-X019T

6N139-X019T

僅供參考

型號 6N139-X019T
PNEDA編號 6N139-X019T
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 8SMD
制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6N139-X019T資源

品牌 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6N139-X019T
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
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6N139-X019T規格

制造商Vishay Semiconductor Opto Division
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)500% @ 1.6mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)600ns, 1.5µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)18V
電流-輸出/通道60mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.4V
電流-直流正向(If)(最大值)25mA
Vce飽和度(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝8-SMD

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電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

160% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

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5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.22V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

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電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

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Surface Mount

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