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70121L35J

70121L35J

僅供參考

型號 70121L35J
PNEDA編號 70121L35J
描述 IC SRAM 18K PARALLEL 52PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70121L35J資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70121L35J
類別半導體內存IC內存

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70121L35J規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小18Kb (2K x 9)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝52-PLCC (19.13x19.13)

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Volatile

內存格式

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

200ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

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