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7016L35J8

7016L35J8

僅供參考

型號 7016L35J8
PNEDA編號 7016L35J8
描述 IC SRAM 144K PARALLEL 68PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7016L35J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7016L35J8
類別半導體內存IC內存

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7016L35J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小144Kb (16K x 9)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱68-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝68-PLCC (24.21x24.21)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

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訪問時間

5.4ns

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-6

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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