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70P269L65BYGI8

70P269L65BYGI8

僅供參考

型號 70P269L65BYGI8
PNEDA編號 70P269L65BYGI8
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70P269L65BYGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70P269L65BYGI8
類別半導體內存IC內存

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70P269L65BYGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小256Kb (16K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁65ns
訪問時間65ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-TFBGA
供應商設備包裝100-CABGA (6x6)

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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