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70T3339S166BC

70T3339S166BC

僅供參考

型號 70T3339S166BC
PNEDA編號 70T3339S166BC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3339S166BC資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3339S166BC
類別半導體內存IC內存

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70T3339S166BC規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.6ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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安裝類型

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內存接口

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訪問時間

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安裝類型

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供應商設備包裝

8-WLCSP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

256-LBGA

供應商設備包裝

256-CABGA (17x17)

71V67903S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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