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70T3589S133DRI8

70T3589S133DRI8

僅供參考

型號 70T3589S133DRI8
PNEDA編號 70T3589S133DRI8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3589S133DRI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3589S133DRI8
類別半導體內存IC內存

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70T3589S133DRI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 145°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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內存類型

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256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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