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70T3589S166DR8

70T3589S166DR8

僅供參考

型號 70T3589S166DR8
PNEDA編號 70T3589S166DR8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3589S166DR8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3589S166DR8
類別半導體內存IC內存

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70T3589S166DR8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.6ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (4G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Toshiba Memory America, Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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