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70T653MS10BCG

70T653MS10BCG

僅供參考

型號 70T653MS10BCG
PNEDA編號 70T653MS10BCG
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T653MS10BCG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T653MS10BCG
類別半導體內存IC內存

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70T653MS10BCG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

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