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70T659S10BCI

70T659S10BCI

僅供參考

型號 70T659S10BCI
PNEDA編號 70T659S10BCI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T659S10BCI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T659S10BCI
類別半導體內存IC內存

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70T659S10BCI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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