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70V06S20J8

70V06S20J8

僅供參考

型號 70V06S20J8
PNEDA編號 70V06S20J8
描述 IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V06S20J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V06S20J8
類別半導體內存IC內存

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70V06S20J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱68-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝68-PLCC (24.21x24.21)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

DRAM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15ns

電壓-供電

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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12ns

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電壓-供電

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