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70V07L35J8

70V07L35J8

僅供參考

型號 70V07L35J8
PNEDA編號 70V07L35J8
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V07L35J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V07L35J8
類別半導體內存IC內存

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70V07L35J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱68-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝68-PLCC (24.21x24.21)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

150ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

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Through Hole

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